k8凯发(中国)天生赢家·一触即发

　　1958年9月12日ღ◈，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby）ღ◈，成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起ღ◈，制作了世界上第一块锗集成电路ღ◈。

　　次年7月ღ◈，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce）ღ◈，基于硅平面工艺ღ◈，成功发明了世界上第一块硅集成电路ღ◈。

　　正如大家现在所知ღ◈，这两位大佬的发明ღ◈，拥有极为重要的意义ღ◈。集成电路的出现ღ◈，有力推动了电子器件的微型化ღ◈，也为芯片时代的全面到来奠定了基础ღ◈。

　　进入1960年代后ღ◈，随着计算机技术的发展ღ◈，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试ღ◈。

　　当时ღ◈，半导体存储技术被分为ROM和RAM两个方向ღ◈。ROM是只读存储器ღ◈，存储数据不会因为断电而丢失ღ◈，也称外存ღ◈。而RAM是随机存取存储器ღ◈，用于存储运算数据ღ◈，断电后ღ◈，数据会丢失ღ◈，也称内存ღ◈。

　　这种存储器基于“MOS型晶体管+电容结构”ღ◈，具有能耗低ღ◈、读写速度快且集成度高的特点ღ◈。直到现在ღ◈，我们的计算机内存ღ◈、手机内存ღ◈、显卡内存等ღ◈，都是基于DRAM技术ღ◈。

　　1968年6月ღ◈，IBM注册了晶体管DRAM的专利ღ◈。但是ღ◈，正当他们准备进行DRAM产业化的时候ღ◈，美国司法部启动了对他们的反垄断调查ღ◈。

　　不久后ღ◈，1969年女人POOPING大便A卫生巾ღ◈，美国加州的Advanced Memory System（先进内存系统）公司捷足先登ღ◈，成功生产出了世界上第一款DRAM芯片（容量仅有1KB）ღ◈，并将其销售给计算机厂商霍尼韦尔公司（Honeywell）ღ◈。

　　霍尼韦尔公司收到这批DRAM芯片后ღ◈，发现工艺上存在一些问题凯发k8国际娱乐ღ◈。于是ღ◈，他们找到了一家新成立的公司ღ◈，请求帮助ღ◈。

　　这家公司ღ◈，就是1968年罗伯特·诺伊斯（前文提到的硅集成电路发明人）和戈登·摩尔（摩尔定律的提出者）等人共同创办的英特尔（Intel）ღ◈。

　　当时女人POOPING大便A卫生巾ღ◈，半导体工艺主要有两个研究方向ღ◈，分别是双极型晶体管和场效应（MOS）晶体管ღ◈。英特尔自己也不知道哪个方向正确ღ◈，于是ღ◈，成立了两个研究小组ღ◈，分别跟进两个技术方向ღ◈。

　　1969年4月ღ◈，双极型小组率先有了突破ღ◈，推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片——C3101ღ◈。这个芯片是英特尔的第一款产品ღ◈，主要客户就是霍尼韦尔ღ◈。

　　场效应管小组也不甘落后ღ◈，1969年7月ღ◈，他们推出了256bit容量的静态随机存储器芯片——C1101ღ◈。这是世界第一个大容量SRAM存储器ღ◈。

　　1970年10月ღ◈，场效应管小组再接再励ღ◈，成功推出了自己的第一款DRAM芯片（也被认为是世界上第一款成熟商用的DRAM芯片）——C1103ღ◈。

　　C1103推出后ღ◈，获得极大成功ღ◈，很快成为全球最畅销的半导体内存ღ◈，服务于HPღ◈、DEC等重要客户ღ◈。

　　在C1103的帮助下ღ◈，英特尔也迅速发展壮大ღ◈。1972年ღ◈，英特尔的员工人数超过1000人ღ◈，年收入超过2300万美元ღ◈。1974年ღ◈，英特尔DRAM产品的全球市场份额达到惊人的82.9%ღ◈。

　　德州仪器在英特尔推出C1103之后ღ◈，就进行了拆解仿制ღ◈，通过逆向工程ღ◈，研究DRAM的架构和工艺ღ◈。后来ღ◈，1971年和1973年ღ◈，他们先后推出了2K和4K DRAMღ◈，成为英特尔的强劲对手ღ◈。

　　莫斯泰克公司由德州仪器半导体中心的前首席工程师L.J.Sevin创立（1969年）ღ◈，技术实力同样不俗ღ◈。

　　1973年ღ◈，他们推出了16针脚的DRAM产品——MK4096ღ◈，也对英特尔的市场地位形成了挑战（其它公司都是22针脚ღ◈，针脚越少ღ◈，制造成本越低）ღ◈。

　　1976年ღ◈，莫斯泰克公司又推出了MK4116ღ◈，采用了POLY-II（双层多晶硅栅）工艺ღ◈，容量达到16Kღ◈。这款产品获得了巨大成功ღ◈，一举逆转了市场竞争格局ღ◈，将自己的DRAM市占率提升到了75%ღ◈。

　　可惜ღ◈，没过多久ღ◈，因为遭遇来自资本市场的恶意收购ღ◈，莫斯泰克公司的股权结构大幅变动ღ◈，管理层剧烈动荡ღ◈，技术人员迅速流失ღ◈，公司很快走入低谷ღ◈。

　　1978年10月ღ◈，四个莫斯泰克公司的技术人员离职ღ◈，在爱达荷州一家牙科诊所的地下室ღ◈，共同创立了一家新的存储技术公司ღ◈。

　　1970年代ღ◈，日本经济高速崛起ღ◈。为了在全球科技产业链占据有利位置ღ◈，他们在半导体技领域进行了精心布局ღ◈。

　　联合研发体一共设有6个实验室ღ◈，专门进行高精度加工技术ღ◈、硅结晶技术ღ◈、工艺处理技术ღ◈、监测评价技术ღ◈、装置设计技术等领域的研究ღ◈。

　　不久后ღ◈，这个联合研发体就成功攻克了电子束光刻机ღ◈、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备ღ◈，以及领先的制程工艺和半导体设计能力ღ◈，为日本半导体行业的腾飞奠定了基础ღ◈。

　　1977年ღ◈，在VLSI项目的帮助下ღ◈，日本成功研制出了64K DRAMღ◈，追平了美国公司的研发进度ღ◈。

　　到了1980年代ღ◈，日本厂商（富士通ღ◈、日立ღ◈、三菱ღ◈、 NECღ◈、东芝等）继续发力ღ◈，凭借质量和价格优势ღ◈，开始反超美国公司ღ◈。

　　在惨烈的市场竞争下ღ◈，美国英特尔公司直接宣布放弃了DRAM市场（1985年）ღ◈。而唯一能够在日系厂商夹缝中生存的k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发ღ◈，ღ◈，只剩下摩托罗拉（Motorola）ღ◈。

　　螳螂捕蝉ღ◈，黄雀在后ღ◈。就在日本半导体厂商眼看就要一统江湖的时候ღ◈，外部政治环境开始发生了微妙的变化ღ◈。

　　1985年ღ◈，美苏冷战气氛不断减弱ღ◈，日美贸易摩擦不断增加ღ◈。在巨大的财政赤字压力下ღ◈，美国里根政府开始将注意力转移到打压日本经济上ღ◈。

　　这一年ღ◈，美国主导了著名的《广场协议》ღ◈，逼迫日元升值ღ◈。与此同时ღ◈，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼ღ◈。后来ღ◈，两国达成了对日本半导体产品的价格监督协议女人POOPING大便A卫生巾ღ◈。

　　正所谓“螳螂捕蝉ღ◈，黄雀在后”ღ◈，日本厂商快速失势的同时ღ◈，美国的另一个竞争对手又杀了出来ღ◈，那就是——韩国ღ◈。

　　早在日本启动VLSI项目的时候ღ◈，韩国政府也没闲着ღ◈。他们在庆尚北道的龟尾产业区建立了韩国电子技术研究所（KIET）ღ◈，高薪笼络美国的半导体人才ღ◈，集中研发集成电路关键技术ღ◈。

　　除了KIET之外ღ◈，韩国三星ღ◈、LGღ◈、现代和大宇等财阀ღ◈，也看中了半导体技术的市场前景ღ◈，通过购买ღ◈、引进技术专利及加工设备ღ◈，对其进行消化吸收ღ◈，积蓄技术力量ღ◈。

　　1984年ღ◈，三星半导体建成了自己的第一个存储器工厂ღ◈，批量生产64K DRAMღ◈。谁也没有想到ღ◈，这个名不见经传的韩国企业ღ◈，会变成日后的行业“巨无霸”ღ◈。

　　线年代至今ღ◈，DRAM产业经历了将近四十年的发展ღ◈。如果用一个词来形容这四十年ღ◈，那就是——“腥风血雨”ღ◈。

　　原因很简单ღ◈，DRAM半导体产业ღ◈，最大的特点就是其周期性规律ღ◈。行业人士曾经总结ღ◈：DRAM半导体存储ღ◈，每赚钱一年ღ◈，就要亏钱两年ღ◈，所谓“赚一亏二”ღ◈。

　　在这种强烈的周期性规律下ღ◈，想要长期生存下去ღ◈，是一件非常困难的事情ღ◈。DRAM厂商需要有强大的现金流和融资能力ღ◈，能够维持高强度的研发支出ღ◈，保持团队的稳定ღ◈。

　　在亏损周期ღ◈，DRAM厂商需要更多的钱ღ◈，才能够活下去ღ◈。在繁荣周期ღ◈，也不能大意ღ◈。厂商在选择扩充产能时机时ღ◈，需要非常谨慎ღ◈。不然ღ◈，就可能导致供大于求ღ◈，盈利变亏损ღ◈。

　　这四十年里ღ◈，有一家企业不仅坚持活了下来ღ◈，还干掉无数对手ღ◈，长期占据霸主地位ღ◈。这家企业ღ◈，就是前面提到的三星（Samsung）ღ◈。

　　三星的故事ღ◈，有些同学可能听说过ღ◈。他们采取了一个被无数商学院写入教材的“杀手锏”战略——反周期投入ღ◈。

　　简单来说ღ◈，反周期投入ღ◈，就是利用行业周期性发展的特点ღ◈，在行业进入低谷时ღ◈，在竞争对手都收缩规模时ღ◈，反其道而行之ღ◈，加大投入ღ◈，扩大产能ღ◈，进一步打压价格ღ◈，从而让对手加剧亏损ღ◈，甚至倒闭ღ◈。

　　三星这家公司ღ◈，就是靠着韩国的举国之力ღ◈，接二连三地采用“反周期投入”策略ღ◈，干掉了无数对手ღ◈，成为了半导体存储领域的老大ღ◈。

　　当时ღ◈，日美激战正酣ღ◈，DRAM市场普遍不景气ღ◈，价格大跌ღ◈。DRAM芯片的价格从每片4美元（1984年）ღ◈，跌到了每片0.3美元（1985年）ღ◈。

　　三星建厂推出64K DRAM时ღ◈，生产成本是1.3美元/片ღ◈。面对行业寒冬ღ◈，三星不仅没有收缩投资ღ◈，反而开始逆向投资凯发K8国际首页ღ◈，ღ◈，扩大产能ღ◈。

　　关键时期ღ◈，韩国政府出手“救市”ღ◈，总共投入近3.5亿美金ღ◈，并且以政府名义背书ღ◈，给三星拉来了20亿美元的个体募资ღ◈。

　　后来凯发k8国际娱乐ღ◈，日本半导体被美国干翻ღ◈，加上PC电脑进入热销期带来的行业繁荣ღ◈，使得三星顺利翻盘ღ◈，迎来业绩增长凯发k8国际娱乐ღ◈。

　　不久后ღ◈，以三星为代表的韩系DRAM厂商ღ◈，逐渐蚕食了日本半导体企业让出的市场份额ღ◈，占据了市场的主导地位ღ◈。

　　1992年ღ◈，日本住友树脂厂发生爆炸ღ◈，导致原材料供应紧张ღ◈，内存价格暴涨ღ◈。这一年ღ◈，三星率先推出世界上第一个64M DRAMღ◈。

　　1993年ღ◈，全球半导体市场又开始转弱ღ◈。这时ღ◈，三星故技重施ღ◈，采取了第二次“反周期投入”ღ◈。他们投资兴建8英寸硅片生产线ღ◈，用于生产DRAMღ◈。

　　1995年ღ◈，微软公司Windows95视窗操作系统发布ღ◈，极大地刺激了内存的需求ღ◈，带动内存价格大幅上扬ღ◈，三星的投资获得回报ღ◈。全球各大厂商后知后觉ღ◈，纷纷投资扩大产能ღ◈。

　　好景不长ღ◈，到了1995年的年底ღ◈，各厂商8英寸晶圆厂投产后ღ◈，导致产能急剧增加ღ◈，反而使得DRAM变成供大于求ღ◈。于是ღ◈，卖方市场又变成了买方市场ღ◈，价格又开始下跌ღ◈。

　　三星继续扩大投资ღ◈。1996年凯发k8国际娱乐ღ◈，三星推出世界上第一个1GB DRAMღ◈，奠定了自己的行业领军地位ღ◈。

　　1999年ღ◈，DRAM价格下跌的趋势有所缓解ღ◈。因为互联网泡沫的出现ღ◈，DRAM行业进入了短暂的繁荣阶段ღ◈。

　　韩系方面ღ◈，韩国现代内存与LG半导体合并ღ◈，成立现代半导体ღ◈，后来ღ◈，又从现代集团拆分（2001年）ღ◈，改名海力士（Hynix）ღ◈。

　　欧系方面ღ◈，西门子集团的半导体部门独立ღ◈，成立了亿恒科技ღ◈。几年后ღ◈，2002年ღ◈，改名为英飞凌（Infineon）ღ◈。再后来ღ◈，2006年ღ◈，英飞凌科技存储器事业部拆分独立ღ◈，变成了奇梦达（Qimonda）ღ◈。

　　2000年ღ◈，全球DRAM市场份额的前五名之中ღ◈，有两家是韩系厂商ღ◈，分别是排名第一的三星（23.00%）ღ◈，还有排名第三的现代（19.36%）ღ◈。

　　不久后ღ◈，互联网泡沫破碎ღ◈，全球经济危机爆发ღ◈。PC市场遭受重创ღ◈，DRAM的市场需求也急速下降ღ◈，价格又迎来了跳水ღ◈。

　　那一时期ღ◈，DRAM市场逐渐形成了五强格局ღ◈，分别是ღ◈：三星（韩）ღ◈、SK海力士（韩）ღ◈、奇梦达（德）ღ◈、镁光（美）和尔必达（日）ღ◈。

　　2007年ღ◈，微软推出Vista系统女人POOPING大便A卫生巾ღ◈。该系统对内存消耗较大ღ◈，DRAM厂商预期内存需求大增ღ◈，于是纷纷增加产能ღ◈。

　　更悲催的是ღ◈，2008年ღ◈，金融危机爆发ღ◈，导致DRAM市场雪上加霜ღ◈。内存价格一路下跌ღ◈，甚至跌破材料成本女人POOPING大便A卫生巾ღ◈。

　　2011年ღ◈，DRAM供应量再次超过实际需求ღ◈，价格暴跌ღ◈。这一次ღ◈，尔必达没能熬过去ღ◈，宣布破产ღ◈，标志着日本厂商全面退出了DRAM产业ღ◈。

　　于是ღ◈，五强变三强ღ◈，DRAM领域只剩下三星（韩）ღ◈、镁光（美）ღ◈、海力士（韩）ღ◈。三家公司的市占率加起来ღ◈，超过了93%ღ◈。

　　2011年之后ღ◈，DRAM内存的市场格局没有发生什么重大变化ღ◈。但是ღ◈，DRAM的用户需求和市场环境ღ◈，变化很大ღ◈。

　　除传统PC之外ღ◈，随着移动互联网和物联网的高速发展ღ◈，智能手机ღ◈、可穿戴设备ღ◈、物联网设备（摄像头等）迅速崛起ღ◈，极大地带动了对DRAM的需求ღ◈。

　　云计算ღ◈、大数据和AI人工智能的发展ღ◈，又推动了数据中心的数量增加ღ◈，从而带来了服务器和网络设备的急剧增加ღ◈，也刺激了DRAM的销量增长ღ◈。

　　这些需求ღ◈，逐渐使得DRAM细分为标准型DRAMღ◈、移动型DRAMღ◈、绘图型DRAMღ◈、利基型DRAM等类别ღ◈。

　　标准DRAM主要应用于PCღ◈、服务器等ღ◈。移动型DRAM主要为LPDDRღ◈，应用于智能手机ღ◈、平板电脑等场景ღ◈。绘图型DDR用于显卡的显存（GDDR）ღ◈。利基型DRAMღ◈，主要应用于液晶电视ღ◈、数字机顶盒ღ◈、网络播放器等产品ღ◈。

　　多产品场景的旺盛需求ღ◈，推动了DRAM价格的上扬ღ◈。2018年左右ღ◈，比特币等数字货币的需求爆发ღ◈，更是让DRAM市场迎来了难得的“黄金时期”ღ◈。

　　2019年之后ღ◈，由于前期产能扩张和去库存因素ღ◈，内存价格下跌较多ღ◈。加密货币市场价格崩塌ღ◈、智能手机市场进入成熟期ღ◈，使得市场需求疲软ღ◈，DRAM再次进入低谷期ღ◈。

　　根据相关机构发布的数据ღ◈，从2020年下半年开始ღ◈，到2022年5月ღ◈，都属于DRAM市场的好转期ღ◈。

　　今年6月开始ღ◈，DRAM行情暴跌ღ◈。6月份销量下降了36%ღ◈，7月份又下降了21%ღ◈，可以说是全面崩盘ღ◈，惨不忍睹ღ◈。根据机构预测ღ◈，四季度跌幅将进一步扩大ღ◈。

　　以30nm更新到20nm为例ღ◈，后者需要的光刻掩模版数目增加了30%ღ◈，非光刻工艺步骤数翻倍ღ◈。对洁净室厂房面积的要求ღ◈，也随着设备数的上升而增加了80%以上ღ◈。

　　以前ღ◈，这些成本都可以通过单晶圆更多的芯片产出ღ◈，以及性能带来的溢价凯发k8国际娱乐ღ◈，进行弥补ღ◈。但是ღ◈，随着工艺制程的不断微缩ღ◈，增加的成本和收入之间的差距逐渐缩小ღ◈。

　　2013年左右ღ◈，当制程工艺进入20nm之后凯发k8国际娱乐ღ◈，制造难度大幅提升ღ◈。18/16nm之后ღ◈，继续在二维方向缩减尺寸ღ◈，已不再具备成本和性能方面的优势ღ◈。

　　作为行业龙头ღ◈，三星率先从封装角度实现了3D DRAMღ◈。他们采用TSV封装技术ღ◈，将多个DRAM芯片堆叠起来ღ◈，从而大幅提升单根内存条容量和性能ღ◈。后来ღ◈，各个厂商纷纷跟进ღ◈，3D DRAM成为主流ღ◈。

　　在产品标准方面ღ◈，行业一般采用由固态技术协会（JEDEC）制定的产品标准ღ◈，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5ღ◈。

　　DRAM三巨头ღ◈，都具备了DDR5/LPDDR5的量产能力ღ◈。三星正在捣鼓DDR6ღ◈，据说2024年完成设计ღ◈。

　　在芯片工艺制程上ღ◈，DRAM目前的表述和以前有所不同ღ◈。以前ღ◈，都是直接40nmღ◈、20nm这么叫ღ◈。现在ღ◈，因为电路结构是三维的ღ◈，所以线性的衡量方式不再适用ღ◈，出现了1Xღ◈、1Yღ◈、1Zღ◈、1αღ◈、1βღ◈、1γ之类的术语表达制程ღ◈。

　　业界认为ღ◈，10nm~20nm系列制程至少包括六代ღ◈，1X大约等同于19nmღ◈，1Y约等同于18nmღ◈，1Z大约为16-17nmღ◈，1αK8凯发VIP入口ღ◈，ღ◈、1βღ◈、1γ则对应12—14nm（15nm以下）ღ◈。

　　首钢NEC从1995年开始ღ◈，采用6英寸1.2微米工艺ღ◈，生产4M DRAM（后来升级到16M）ღ◈。后来ღ◈，1997年DRAM全球大跌价ღ◈，首钢NEC遭受重创ღ◈，从此一蹶不振ღ◈。后来ღ◈，首钢NEC沦为NEC在海外的一个代工基地ღ◈，退出了DRAM产业ღ◈。

　　华虹NEC从1999年9月开始ღ◈，采用8英寸0.35微米工艺技术ღ◈，生产当时主流的64M DRAM内存芯片ღ◈。2001年后ღ◈，随着NEC退出DRAM市场ღ◈，华虹也退出了DRAM产业ღ◈。

　　2015年ღ◈，中国DRAM采购金额约为120亿美元ღ◈，占全球DRAM供货量的21.6%ღ◈。严重依赖进口的现状ღ◈，促使国内开始了针对DRAM业务的第三次尝试ღ◈。

　　2016年5月ღ◈，福建晋华与联电合作ღ◈，进行利基型DRAM的生产凯发k8国际娱乐ღ◈。2017年12月ღ◈，镁光指控福建晋华和联电盗用了自己的内存芯片技术ღ◈。2018年1月ღ◈，福建晋华也就专利侵犯向镁光提起诉讼ღ◈。2018年10月ღ◈，福建晋华被列入出口管制实体清单ღ◈。2018年11月ღ◈，美国司法部又以窃取镁光商业机密为由起诉联电和福建晋华ღ◈。

　　一番折腾之后ღ◈，联电扛不住了ღ◈。2019年1月底ღ◈，联电宣布撤出福建晋华DRAM项目ღ◈。2021年11月ღ◈，联电和镁光达成和解ღ◈。目前女人POOPING大便A卫生巾ღ◈，福建晋华方面审查还没有完整的最终结果ღ◈。

　　总之ღ◈，DRAM存储器是计算机ღ◈、手机等产品的重要组成部分ღ◈，也是数字基础设施不可或缺的“零件”ღ◈。

　　目前ღ◈，国内DRAM存储器已经基本解决了有无的问题ღ◈。下一步ღ◈，要解决就是良品率提升的问题ღ◈，以及产能爬坡问题ღ◈。在融资能力ღ◈、产业链配套及人才梯队等方面ღ◈，我们还需要不断加强ღ◈，谨慎前行ღ◈。