k8凯发天生赢家一触即发|玛亚网|晶合集成申请半导体技术专利能够改善半导体器件的
来源：凯发k8·[中国]官方网站 发布时间：2023-12-25
金融界2023年12月4日消息ღ◈✿ღ，据国家知识产权局公告k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ，公开号CN117153865Aღ◈✿ღ，申请日期为2023年10月玛亚网k8凯发天生赢家一触即发k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ。
专利摘要显示ღ◈✿ღ，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法ღ◈✿ღ，属于半导体技术领域玛亚网ღ◈✿ღ，所述半导体器件包括ღ◈✿ღ：衬底ღ◈✿ღ；栅介质层ღ◈✿ღ，设置在衬底上ღ◈✿ღ；栅极ღ◈✿ღ，设置在栅介质层上ღ◈✿ღ，栅极包括第一栅极结构和第二栅极结构ღ◈✿ღ，第二栅极结构设置在栅介质层上ღ◈✿ღ，第一栅极结构设置在第二栅极结构上ღ◈✿ღ，且第二栅极结构的宽度大于第一栅极结构的宽度ღ◈✿ღ；第一侧墙结构玛亚网ღ◈✿ღ，设置在第一栅极结构的两侧ღ◈✿ღ，且位于第二栅极结构上ღ◈✿ღ；第二侧墙结构ღ◈✿ღ，设置在第一侧墙和第二栅极结构的侧壁上ღ◈✿ღ；漏极玛亚网ღ◈✿ღ，设置在侧墙结构一侧的衬底内ღ◈✿ღ；源极k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ，设置在侧墙结构另一侧的衬底内ღ◈✿ღ；轻掺杂区ღ◈✿ღ，只设置在栅极靠近源极一侧的衬底内k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法玛亚网ღ◈✿ღ，能夜改善半导体器件的性能ღ◈✿ღ，并降低生产成本k8凯发天生赢家一触即发k8凯发天生赢家一触即发ღ◈✿ღ。天生赢家·一触即发凯发k8·[中国]官方网站ღ◈✿ღ，芯片设计ღ◈✿ღ，半导体ღ◈✿ღ。AG凯发k8真人娱乐凯发国际k8官网登录手机ღ◈✿ღ。凯发国际k8官网ღ◈✿ღ，
