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凯发k8国际娱乐官网半导体存储芯片分类浅述|海棠书屋里|

来源:凯发k8·[中国]官方网站 发布时间:2024-06-29

  用的方形磁盘ღ✿ღ◈★,软盘就属于磁性存储器ღ✿ღ◈★。但也有可能现在很多年轻人对这些老古董没有概念ღ✿ღ◈★,特别是CD和软盘ღ✿ღ◈★,现在已经很难在市场上看到ღ✿ღ◈★。因为无论是光学存储器还是磁性存储器都干不过半导体存储器ღ✿ღ◈★。半导体存储器以其稳定的质量ღ✿ღ◈★,高速的存储速度ღ✿ღ◈★,相同存储容量下更小的体积ღ✿ღ◈★,可选择性更广的存储容量和存储应用种类等优点逐步发展成为目前应用领域最广ღ✿ღ◈★,市场规模最大的存储器件ღ✿ღ◈★。

  半导体存储芯片属于通用型集成电路ღ✿ღ◈★,是集成电路中规模占比最大的细分产品之一ღ✿ღ◈★。根据WSTS 的统计数据ღ✿ღ◈★,2021年全球集成电路规模约为4608亿美元ღ✿ღ◈★,其中存储芯片就占到了超过3成ღ✿ღ◈★,达到了1538亿美元ღ✿ღ◈★。其中DRAM和NAND FLASH两大类存储芯片合计占到了其中的97%ღ✿ღ◈★,余下的NOR FLASH占了2%,其它存储芯片合计占比仅1%ღ✿ღ◈★。 存储芯片按断电后是否能保留住存储的数据ღ✿ღ◈★,分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片ღ✿ღ◈★。 易失性存储芯片ღ✿ღ◈★,顾名思义就是容易丢失数据的存储芯片ღ✿ღ◈★。但不要误解ღ✿ღ◈★,这并不是说这类存储芯片的质量有任何的问题ღ✿ღ◈★,而是因为其存储技术特点造成的ღ✿ღ◈★。主要的易失性存储芯片有DRAM和SRAM两种ღ✿ღ◈★。DRAM因为是通过电容冲放电来读取数据ღ✿ღ◈★,所以需要不断充放电刷新ღ✿ღ◈★,一旦断电ღ✿ღ◈★,保存的数据就会消失ღ✿ღ◈★。SRAM虽然不需要反复刷新ღ✿ღ◈★,主要通过更为复杂的设计来读取和保持数据ღ✿ღ◈★,但一旦断电ღ✿ღ◈★,也会导致信号不断衰减到不可读取ღ✿ღ◈★。虽然SRAM速度更快ღ✿ღ◈★,能耗更低ღ✿ღ◈★,但因为其设计复杂导致容量小ღ✿ღ◈★,价格贵ღ✿ღ◈★,所以只用在高带宽ღ✿ღ◈★,低功耗的场景ღ✿ღ◈★。比如CPU内部的一级缓存和内置的二级缓存ღ✿ღ◈★。应用最广泛就是DRAMღ✿ღ◈★,其高速ღ✿ღ◈★,低成本ღ✿ღ◈★,高容量的特点给予了产品高性价比ღ✿ღ◈★,广泛用于计算机ღ✿ღ◈★,手机ღ✿ღ◈★,服务器的运行数据保存应用领域ღ✿ღ◈★。通俗来说就是电脑和手机里的内存条和内存模组就是DRAM存储器凯发国际官网ღ✿ღ◈★,ღ✿ღ◈★。

  和易失性存储芯片对应的就是非易失性存储芯片ღ✿ღ◈★,很容易理解就是在断电后一样可以持续保存数据信息的存储芯片ღ✿ღ◈★。比如我们日常生活中普遍使用的U盘和移动硬盘ღ✿ღ◈★,就是典型的非易失性存储芯片产品ღ✿ღ◈★。非易失性存储芯片可以分为闪存ღ✿ღ◈★,就是FLASH 和只读存储器两大类ღ✿ღ◈★。Flash是市场主流凯发k8国际娱乐官网ღ✿ღ◈★,其又可以按存储单元结构和原理的不同分为NAND FLASH和 NOR FLASHღ✿ღ◈★。NAND是NOTAND的缩写ღ✿ღ◈★,代表是与非ღ✿ღ◈★, NOR是NOTNOR的缩写ღ✿ღ◈★,代表是或非ღ✿ღ◈★。两相比较ღ✿ღ◈★,NAND FLASH 的存储单元尺寸更小ღ✿ღ◈★,密度更高ღ✿ღ◈★,单位容量成本更低ღ✿ღ◈★,读写速度快ღ✿ღ◈★,具有更长的寿命ღ✿ღ◈★,被大量应用在电脑ღ✿ღ◈★,手机ღ✿ღ◈★,固态硬盘ღ✿ღ◈★,服务器等领域ღ✿ღ◈★。这种属于非易失性存储芯片的NAND FLASH和前面提到的属于易失性存储芯片的DRAMღ✿ღ◈★,这两种存储芯片就占了全球半导体存储芯片市场规模的97%ღ✿ღ◈★。

  时任美国司法部长Jeff Sessions在新闻发布会上宣布对盗取美光商业机密的一家中国公司采取刑事执法行动

  而这1538亿美元的全球半导体存储芯片市场凯发k8娱乐官网app下载ღ✿ღ◈★,ღ✿ღ◈★,基本被几家外资半导体大厂瓜分ღ✿ღ◈★,全球存储芯片市场进一步集中ღ✿ღ◈★。同时我国作为半导体集成电路消费大国ღ✿ღ◈★,2021年全年进口半导体集成电路4326亿美元ღ✿ღ◈★,位居单一商品进口额第一ღ✿ღ◈★。其中存储芯片进口总额1196亿美元ღ✿ღ◈★,占全年半导体芯片进口总额的27.6%ღ✿ღ◈★。可以说中国每年买了全世界生产的存储芯片一半的量海棠书屋里ღ✿ღ◈★。中国政府和企业为了扭转这一局面ღ✿ღ◈★,近二十年投入了大量的资金和人力ღ✿ღ◈★,也受到了以美国为首的西方国家和头部存储厂商的打压ღ✿ღ◈★,从早年的福建晋华案ღ✿ღ◈★,到最近的对长江存储和长鑫存储被制裁ღ✿ღ◈★,想要从存储芯片打开突破口还有长期的硬仗要打ღ✿ღ◈★。

  前面我们提到凯发k8国际娱乐官网ღ✿ღ◈★,全球每年的存储芯片的市场规模在1600亿美元左右ღ✿ღ◈★,而且随着高性能计算机ღ✿ღ◈★,服务器ღ✿ღ◈★,边缘计算ღ✿ღ◈★,智能穿戴市场ღ✿ღ◈★,物联网和车联网全球市场规模的不断做大ღ✿ღ◈★,存储器市场将迎来爆发式的增长ღ✿ღ◈★。 存储芯片作为通用型集成电路ღ✿ღ◈★,产品自主性强ღ✿ღ◈★,需求量大适合规模化生产ღ✿ღ◈★,产品价格和市场行情具有周期性特点ღ✿ღ◈★,因此全球存储芯片市场长期以来就是各国政府和企业的必争之地ღ✿ღ◈★。 在我们之前提到日本半导体产业紧急强化法案的时候我们就谈到之前日本半导体产业的崛起ღ✿ღ◈★,在八十年代日本半导体出口一度占据全球半导体市场一半的量ღ✿ღ◈★,培养出日立ღ✿ღ◈★,NECღ✿ღ◈★,富士通ღ✿ღ◈★,三菱和东芝一系列半导体大厂ღ✿ღ◈★。最风光的时期ღ✿ღ◈★,日本企业占领全球DRAM市场90%以上的份额ღ✿ღ◈★,规模效益帮助日本企业直接把DRAM的价格打到地板价ღ✿ღ◈★,也直接打的英特尔AMD宣布退出DRAM市场竞争ღ✿ღ◈★。在日本企业高歌猛进之时ღ✿ღ◈★,美国政府直接出手ღ✿ღ◈★,逼迫日本政府先后签订广场协议和美日半导体协议ღ✿ღ◈★,又通过扶持韩国三星和半导体反倾销调查直接干废了日本半导体产业ღ✿ღ◈★。替代的是韩国半导体企业的崛起ღ✿ღ◈★。这些在前面谈韩国半导体政策和日本半导体产业法案的时候都详细提到过ღ✿ღ◈★,有兴趣的小伙伴可以在喜马拉雅搜索大国阳谋-半导体芯片说去收听下ღ✿ღ◈★。

  目前的存储芯片主要是被美韩两国的企业瓜分ღ✿ღ◈★。前面提到的NAND FLASH和DRAM两大类存储芯片市场呈现出高度集中化的特点ღ✿ღ◈★。根据OMDIA的数据ღ✿ღ◈★,2020年NAND FLASH 98%的全球市场由韩国三星ღ✿ღ◈★,日本铠侠ღ✿ღ◈★,美国美光ღ✿ღ◈★,韩国SK海力士ღ✿ღ◈★,美国英特尔六家公司瓜分ღ✿ღ◈★。其中海力士收购了英特尔的NAND FLASH业务ღ✿ღ◈★,占比达到20%ღ✿ღ◈★,仅次于三星的34%ღ✿ღ◈★。而DRAM市场因为极高的资金ღ✿ღ◈★,技术和专利壁垒ღ✿ღ◈★,更呈现出高度垄断形势ღ✿ღ◈★,全球近95%的市场份额被三星ღ✿ღ◈★,海力士和美光三家企业占据ღ✿ღ◈★。

  中国作为存储芯片消费大国ღ✿ღ◈★,每年花费在在进口存储芯片的资金超千亿美元ღ✿ღ◈★。面对被外资垄断的存储芯片市场ღ✿ღ◈★,尝尽大厂动不动就以停电ღ✿ღ◈★,设备检修凯发k8国际娱乐官网ღ✿ღ◈★,火灾等借口进行断供和要求涨价行为的国内各行业ღ✿ღ◈★,可以说天下苦三星尔等久矣ღ✿ღ◈★!加上存储芯片特别是DRAM的制程技术相对成熟ღ✿ღ◈★,理所当然的被中国政府和企业定为重点国产替代目标ღ✿ღ◈★。 2016年2月ღ✿ღ◈★,泉州ღ✿ღ◈★,晋江两级政府拉上福建省电子信息集团ღ✿ღ◈★,晋江能源投资集团有限公司共同出资近60亿美元ღ✿ღ◈★,通过成立福建晋华在福建省晋江市计划建设12英寸DRAM产线ღ✿ღ◈★,规划目标产能每月六万片ღ✿ღ◈★。并与台湾联电签订合作协议ღ✿ღ◈★,晋华提供3亿美元委托联电采购专用设备ღ✿ღ◈★,再提供4亿美元主要依靠联电研发32纳米DRAM制程技术ღ✿ღ◈★,不但设备都放置在联电的南科12A厂ღ✿ღ◈★,而且研发成功的技术也将由联电和晋华共同所有ღ✿ღ◈★。简单来说就是晋华出钱ღ✿ღ◈★,联电提供技术ღ✿ღ◈★,如果成功ღ✿ღ◈★,将彻底改变存储芯片市场格局ღ✿ღ◈★,因此合作双方都极为重视这次合作ღ✿ღ◈★。联电为了协助晋华12英寸DRAM工厂的建设ღ✿ღ◈★,更是派出了资深副总裁陈正坤担任晋华总经理ღ✿ღ◈★。

  正当双方撸起袖子准备大干一场的时候ღ✿ღ◈★,始终在背后关注的美光开始率先发难ღ✿ღ◈★。2017年9月ღ✿ღ◈★,美光指控其前雇员跳槽到联电时ღ✿ღ◈★,窃取带走了美光的DRAM机密资料ღ✿ღ◈★,并用于晋华32纳米DRAM的芯片开发ღ✿ღ◈★。紧接着在当年12月ღ✿ღ◈★,美光马上向美国加州联邦法院提交控告ღ✿ღ◈★,指控晋华和联电窃取商业机密ღ✿ღ◈★。作为反击ღ✿ღ◈★,晋华马上在2018年1月向福州市人民法院对美光提出控诉ღ✿ღ◈★,指控美光在华销售产品涉嫌侵犯其专利权ღ✿ღ◈★。

  2018年7月3号ღ✿ღ◈★,福州中级法院针对美光半导体西安和上海工厂发布初步禁令ღ✿ღ◈★,禁止美光在中国销售包含固态硬盘和记忆卡产品在内的26款DRAM和闪存产品ღ✿ღ◈★。联电也发布相关声明自证清白ღ✿ღ◈★,强调联电过去投入了大量资金研发半导体逻辑和存储器芯片技术ღ✿ღ◈★,并取得了大量的专利ღ✿ღ◈★,联电将持续启动专利侵权诉讼ღ✿ღ◈★,维护专利权ღ✿ღ◈★。如果说这种相互起诉还只是商务竞争层面的斗争ღ✿ღ◈★。之后美国政府的强势介入ღ✿ღ◈★,彻底让这场竞争丧失了悬念ღ✿ღ◈★。 2018年10月29日ღ✿ღ◈★,美国以莫须有的罪名将福建晋华列入实体清单ღ✿ღ◈★,声称晋华一直使用怀疑是从美国进口的DRAM技术ღ✿ღ◈★,可能威胁美国芯片供应商向美国政府提供用于高科技系统产品的能力ღ✿ღ◈★,因此将晋华列入出口限制名单ღ✿ღ◈★,并在第二天立即生效ღ✿ღ◈★。发布消息的当天ღ✿ღ◈★,各大半导体设备厂商的驻场技术人员就撤出了晋华ღ✿ღ◈★,所有产线设备进入停机状态ღ✿ღ◈★。直到今天这些设备依旧静静的躺在晋华的厂房内ღ✿ღ◈★,而当时产线距离研发成功投产大概也就差三个月的时间ღ✿ღ◈★。

  紧接着ღ✿ღ◈★,美国商务部对联电ღ✿ღ◈★,晋华海棠书屋里ღ✿ღ◈★,以及包括晋华总经理陈正坤在内的数人提起司法诉讼ღ✿ღ◈★,其中的经济间谍罪一旦成立ღ✿ღ◈★,陈正坤等人将面临最高15年的有期徒刑和500万美元的罚款ღ✿ღ◈★,而对联电和晋华的罚款更将高达200亿美元ღ✿ღ◈★。 随着美国商务部下场干预ღ✿ღ◈★,原本还只是商务竞争的互相诉讼迅速变成了刑事犯罪的指控ღ✿ღ◈★,更上升到大国博弈的层面ღ✿ღ◈★。联电马上开始和晋华进行切割ღ✿ღ◈★,开始向美光妥协ღ✿ღ◈★,并向美国司法部提交量刑建议函ღ✿ღ◈★,希望通过承认侵害一项营业机密ღ✿ღ◈★,加上支付6000万美元以换取和美国司法部达成和解ღ✿ღ◈★,并承诺在3年主管管理缓刑期间与美国司法部合作ღ✿ღ◈★。紧接着联电又与美光达成全球谅解协议ღ✿ღ◈★,联电一次性支付和解金给美光ღ✿ღ◈★,双方各自撤回所有在各国针对对方的诉讼ღ✿ღ◈★。联电通过认罪赔钱ღ✿ღ◈★,迅速从这场纷争中脱身ღ✿ღ◈★,这使晋华处境更加艰难ღ✿ღ◈★。即使在联电提交法院的600多万份文件中找不到一项证据ღ✿ღ◈★,但依旧被美国定义为恶劣企业ღ✿ღ◈★,固定在限制出口的实体清单内海棠书屋里ღ✿ღ◈★。基本没有翻盘的希望ღ✿ღ◈★,近60亿美元投资的12英寸DRAM产线也再无重启的可能ღ✿ღ◈★。 经此一役ღ✿ღ◈★,台湾半导体企业对大陆半导体企业的合作评估更加小心谨慎ღ✿ღ◈★。近年来更是对大陆半导体企业和资本拒而远之ღ✿ღ◈★。也让我们认识到技术不是无根之水ღ✿ღ◈★,必须掌握在自己手里才能确保将来不会再被釜底抽薪ღ✿ღ◈★。时不我待ღ✿ღ◈★,长江存储和长鑫存储分头发力ღ✿ღ◈★,再次举起存储芯片国产化的大旗ღ✿ღ◈★。

  2016年ღ✿ღ◈★,当福建晋华如火如荼的筹备12英寸产线的时候ღ✿ღ◈★,已经在NORFLASH细分领域杀出一条血路的兆易创新ღ✿ღ◈★,也决定向被国际巨头高度垄断的DRAM存储领域进军ღ✿ღ◈★,在合肥政府的大力加持下ღ✿ღ◈★,长鑫存储在安徽合肥成立ღ✿ღ◈★。当年急于加强自身存在感的合肥政府ღ✿ღ◈★,为了能让自己的经济发展配得上省会城市的身份ღ✿ღ◈★,决定把合肥打造成一个IC之都ღ✿ღ◈★。在听到兆易创新打算建设DRAM代工厂时ღ✿ღ◈★,马上和兆易创新签下合约共同创立合肥长鑫ღ✿ღ◈★,并提供率先提供75%的项目资金ღ✿ღ◈★,兆易创新只需出剩下的25%ღ✿ღ◈★。并且合肥政府不干预长鑫营运ღ✿ღ◈★,完全由兆易创新负责营运ღ✿ღ◈★。

  2016年5月ღ✿ღ◈★,合肥长鑫正式诞生ღ✿ღ◈★,和同年成立的福建晋华ღ✿ღ◈★,长江存储组成存储器三驾马车ღ✿ღ◈★,一同踏上了存储芯片国产化的征程ღ✿ღ◈★。因为长鑫诞生在5月6号ღ✿ღ◈★,所以也被称为506项目ღ✿ღ◈★,多年之后506项目也成为存储器国产三驾马车中第一个宣布投片的项目ღ✿ღ◈★。 和福建晋华一样ღ✿ღ◈★,合肥长鑫把目标定在了市场需求最大的DRAM市场K8天生赢家一触发ღ✿ღ◈★。ღ✿ღ◈★。但与福建晋华完全依赖台湾联华电子开发DRAM技术不同ღ✿ღ◈★,合肥长鑫在芯片大佬朱一明的领导下ღ✿ღ◈★,一开始就决定把技术捏在自己手里ღ✿ღ◈★。合肥长鑫在用两年时间陆续完成厂房建设ღ✿ღ◈★,设备安装和验机的同时ღ✿ღ◈★,也马不停蹄的在一边满世界收罗DRAM先进技术ღ✿ღ◈★,一边大力投入资金自己吸收研发相关技术ღ✿ღ◈★。

  作为技术落后的追赶者ღ✿ღ◈★,最简单有效的方法要么收购拥有先进技术的企业ღ✿ღ◈★,或者退一步收购其先进的技术ღ✿ღ◈★,但在技术是核心竞争力的今天ღ✿ღ◈★,没有一家公司会愿意把核心技术对外出售ღ✿ღ◈★,更不会把拥有先进技术的公司这样下金蛋的母鸡拱手让人ღ✿ღ◈★。当今存储器市场霸主三星ღ✿ღ◈★,海力士和美光ღ✿ღ◈★,每一家都在巨资推进存储颗粒制造技术和提升制程能力的同时ღ✿ღ◈★,对自己的技术进行着人盯人式的严密的监控ღ✿ღ◈★,每年大量的资金投入到技术封锁和专利诉讼ღ✿ღ◈★,不予余力的加固和推高技术壁垒ღ✿ღ◈★。 但中国的半导体人并没有绝望ღ✿ღ◈★,巨大的技术差距ღ✿ღ◈★,反而给我们带来机会ღ✿ღ◈★。

  上世纪八九十年代半导体市场的日美争霸ღ✿ღ◈★,到后面的韩国半导体企业的崛起ღ✿ღ◈★,欧洲半导体企业加入后的四国大战ღ✿ღ◈★,基本都是在存储器市场的绞杀ღ✿ღ◈★,那一段时间城头大王旗此起彼伏ღ✿ღ◈★,不但美国政府下场干预ღ✿ღ◈★,韩国更是倾举国之力几乎赌上国运ღ✿ღ◈★,期间出现了许多优秀的公司ღ✿ღ◈★,最终湮灭在这修罗场ღ✿ღ◈★,硝烟散去后ღ✿ღ◈★,让我们看到了机会ღ✿ღ◈★。 2019年5月在上海举办的GSA存储器峰会上ღ✿ღ◈★,合肥长鑫首次公布了DRAM技术来源ღ✿ღ◈★,是已经破产十余年ღ✿ღ◈★,曾经的世界存储器巨人奇梦达ღ✿ღ◈★。合肥长鑫共获得约2.8TB的技术数据ღ✿ღ◈★,约一千多万份与DRAM相关的技术文件ღ✿ღ◈★。更同时宣布ღ✿ღ◈★,长鑫烧掉超25亿美元的研发资金ღ✿ღ◈★,一举将奇梦达46纳米的工艺突破推进到10纳米ღ✿ღ◈★,和世界第一梯队的差距只剩一个身位ღ✿ღ◈★。之后更是在2019年上市LPDDR4存储产品ღ✿ღ◈★,并在2020年2月开始大规模销售ღ✿ღ◈★。这是第一个真正意义上的国产化内存芯片ღ✿ღ◈★。自此世界DRAM市场被我们撕开了一道口子ღ✿ღ◈★。

  按以往的剧情发展ღ✿ღ◈★,这个时候就应该准备应对马上到来的专利诉讼了ღ✿ღ◈★,长鑫通过收购奇梦达的专利真能避开专利讹诈吗?让我们来看看奇梦达的专利纯洁度有多高?

  1999年英飞凌西门子独立并逐步成长为一家著名的半导体公司ღ✿ღ◈★,近些年来在碳化硅领域英飞凌长线布局ღ✿ღ◈★,成为市场的领导者和技术的领先者ღ✿ღ◈★。但在存储芯片领域ღ✿ღ◈★,当年的英飞凌却患得患失ღ✿ღ◈★,最终在与有举国之力支持的韩国半导体企业的竞争中全线年ღ✿ღ◈★,英飞凌将存储业务独立出来成立了奇梦达公司ღ✿ღ◈★,当时的奇梦达可谓风光无限ღ✿ღ◈★,第一家拥有12英寸/300毫米晶圆产线的内存厂家ღ✿ღ◈★,并在全球拥有5个300毫米的晶圆生产基地ღ✿ღ◈★,是当年300毫米晶圆使用率最高的企业ღ✿ღ◈★。

  与台湾南亚科合资成立华亚科ღ✿ღ◈★,将90纳米的工艺率先推进到75纳米海棠书屋里ღ✿ღ◈★,推出DRAm两大分支技术之一的DRAM沟槽式技术ღ✿ღ◈★,同时在全球拥有5个全球研发中心ღ✿ღ◈★。更是在2008年宣布突破30纳米工艺ღ✿ღ◈★,计划跳过GDDR4ღ✿ღ◈★,直接上GDDR5内存ღ✿ღ◈★。 可以说奇梦达通过在技术和设备工艺上激进的投入ღ✿ღ◈★,在当年处于绝对领先的地位ღ✿ღ◈★。但这也导致其在2008年上半年EBIT从2007上半年盈利3.35亿欧元ღ✿ღ◈★,直接到亏损10.58亿欧元ღ✿ღ◈★。这简直可以用触目惊心来形容ღ✿ღ◈★,放在平时也许能勉强支撑ღ✿ღ◈★,但这却是发生在2008年ღ✿ღ◈★。2008年下半年开始全球性的金融危机率先从美国爆发ღ✿ღ◈★,并蔓延至全球ღ✿ღ◈★。这给本来就已经疲软的DRAm颗粒市场带来了沉重一击ღ✿ღ◈★,价格一路下跌K8凯发VIP入口ღ✿ღ◈★,ღ✿ღ◈★,在跌破现金成本价后ღ✿ღ◈★,更是在三星为代表的韩国企业的反周期投资的推波助澜下ღ✿ღ◈★,价格直接雪崩跌破材料价ღ✿ღ◈★,暴跌至0.31美元ღ✿ღ◈★。而同一时期DRAM生产厂商的材料成本就要0.7美元ღ✿ღ◈★,现金成本更是高达1.4美元ღ✿ღ◈★,作为欧洲企业的奇梦达本身人力成本就高ღ✿ღ◈★,导致产品定价本就略高于亚洲企业ღ✿ღ◈★,韩国企业的落井下石直接把奇梦达推到了破产的边缘ღ✿ღ◈★。

  关于韩国企业的反周期投资策略ღ✿ღ◈★,感兴趣的可以去听一下前几期的关于韩国半导体企业的相关节目-K计划-韩国超级半导体战略解读ღ✿ღ◈★。与韩国政府举全国之力支持韩国半导体企业恰恰相反ღ✿ღ◈★,德国政府在最后时刻出乎意料的放弃了救助奇梦达ღ✿ღ◈★,因此奇梦达彻底跌入破产深渊ღ✿ღ◈★,开启了各种资产甩卖ღ✿ღ◈★。 2009年ღ✿ღ◈★,德国政府明确放弃救助奇梦达凯发k8国际娱乐官网ღ✿ღ◈★,母公司英飞凌也拒绝伸出援手ღ✿ღ◈★。奇梦达正式宣布破产ღ✿ღ◈★。

  期间ღ✿ღ◈★,奇梦达并非没有做出过自救的努力ღ✿ღ◈★,2008年10月将其在华亚科的全部股份作价4亿美元出售给美光ღ✿ღ◈★。10月更是宣布数千人的裁员计划ღ✿ღ◈★。但这一切在天量的财务亏损前面几乎就是杯水车薪ღ✿ღ◈★。谁也不会想到母公司英飞凌和德国政府会放弃当时技术领先ღ✿ღ◈★,单月12寸晶圆产量位居世界第五的奇梦达ღ✿ღ◈★。

  破产后的奇梦达在破产管理人的主持下ღ✿ღ◈★,从土地到厂房ღ✿ღ◈★,从股权到技术专利ღ✿ღ◈★,开始全球甩卖ღ✿ღ◈★。正所谓一鲸落万物生ღ✿ღ◈★。奇梦达在全球的工厂成为了各家争抢的目标ღ✿ღ◈★。德州仪器通过收购其在美国的12寸晶圆厂成为全球第一家12寸晶圆模拟芯片厂家凯发国际app首页ღ✿ღ◈★,ღ✿ღ◈★。 中国企业也没有闲着ღ✿ღ◈★,奇梦达在西安的研发中心和在欧洲的高端封测生产线被中方合作伙伴收购ღ✿ღ◈★,并在一系列的分立合并后成为组建紫光半导体产业集团的重要部分ღ✿ღ◈★。奇梦达在苏州的模组厂和封测厂被国资苏州创投收购ღ✿ღ◈★,之后又被晶方科技收入囊中ღ✿ღ◈★。这可谓是当时中国最为成功的抄底ღ✿ღ◈★。 除了工厂和产线ღ✿ღ◈★,最吸引人们目光的是其大量的专利技术的去向ღ✿ღ◈★。2012年ღ✿ღ◈★,其破产管理人宣布开始抛售近7500份的专利技术ღ✿ღ◈★。

  曾经的合作伙伴华邦选择和日企尔必达合作ღ✿ღ◈★,买断了奇梦达的GDDR产品的技术授权ღ✿ღ◈★,从此拿到GDDR市场入场券ღ✿ღ◈★,并获得当时最先进的46纳米制程工艺技术ღ✿ღ◈★。同一时期ღ✿ღ◈★,华亚科也获得了一部分的GDDR技术授权ღ✿ღ◈★,用以抵偿奇梦达欠下的货款ღ✿ღ◈★。这时已经是华亚科股东的美光更是在不久的将来收购了尔必达ღ✿ღ◈★,奇梦达的技术授权转到了美光手中ღ✿ღ◈★,这也使美光在将来对长鑫进行专利讹诈埋下了种子ღ✿ღ◈★。这在后面会再展开ღ✿ღ◈★。

  也许是想重返存储器市场ღ✿ღ◈★,从金融危机中缓过来的奇梦达母公司英飞凌出人意料的在2014年通过支付近2.6亿欧元ღ✿ღ◈★,将奇梦达的所有专利打包收购ღ✿ღ◈★。其中1.35亿用于破产争议的庭外和解ღ✿ღ◈★,1.25亿用于打包收购专利ღ✿ღ◈★。正当市场都等着看英飞凌将以何种方式重返存储器市场时ღ✿ღ◈★,英飞凌却又在一年后再一次让所有人大跌眼镜ღ✿ღ◈★,其出乎意料的将所有奇梦达专利以不到当年收购价两成的价格贱卖给了北极星公司ღ✿ღ◈★。一家专门以倒卖专利的国际专利贩子ღ✿ღ◈★。 这让长鑫存储看到了机会ღ✿ღ◈★,通过不断在市场上的搜寻ღ✿ღ◈★,长鑫从北极星和其母公司Wi-Lan公司手中买下了奇梦达的内存专利ღ✿ღ◈★。具体金额没有在公开市场披露ღ✿ღ◈★,但考虑到目前中国半导体企业对技术的渴望和在世界半导体供应链中到处被封锁和制裁的现状ღ✿ღ◈★,这必定是一笔让Wi-Lan无法拒绝的报价ღ✿ღ◈★。但对于财大气粗的长鑫来说获得奇梦达的技术遗产ღ✿ღ◈★,这只是DRAM突围战中的第一步ღ✿ღ◈★。长鑫通过进一步25亿美元的研发投入ღ✿ღ◈★,将制程工艺从46纳米推进到了10纳米ღ✿ღ◈★,一举进入DRAM第一梯队ღ✿ღ◈★,死死咬住了三星ღ✿ღ◈★,海力士和美光ღ✿ღ◈★。

  这一度让我们看到了芯片自给率大幅提高的可能ღ✿ღ◈★,作为存储芯片消费大国ღ✿ღ◈★,如果能在DRAM存储芯片领域实现国产化ღ✿ღ◈★,那将颠覆整个存储器行业格局ღ✿ღ◈★。 但福建晋华的教训依然在眼前ღ✿ღ◈★,考虑到奇梦达的专利当年一样授权给了华邦ღ✿ღ◈★,华亚科ღ✿ღ◈★,尔必达ღ✿ღ◈★,而美光又收购了华亚科和尔必达ღ✿ღ◈★,这就给美光进行专利诉讼纠缠留下了机会ღ✿ღ◈★。并且美光也曾对长鑫露出獠牙ღ✿ღ◈★,在2020年ღ✿ღ◈★,美光就在公开场合声称长鑫的DRAm芯片技术侵犯其专利ღ✿ღ◈★,并表示将对长鑫提起专利诉讼ღ✿ღ◈★。 但之后又没有了下文ღ✿ღ◈★,有分析指出美光是在等待一个合适的时机ღ✿ღ◈★,在利益可以最大化的时候对长鑫提起专利诉讼和索赔ღ✿ღ◈★。熟悉西方公司专利讼棍惯常伎俩的人都对这种手法不会陌生ღ✿ღ◈★。西方公司都会等到目标公司业务扩大到一定规模的时候才提起专利诉讼ღ✿ღ◈★,俗称“养案”ღ✿ღ◈★。越高的涉案标的意味着更高额的专利赔偿ღ✿ღ◈★,不但自己可以轻松的赚的盆满钵满ღ✿ღ◈★,更能使目标公司赔的万劫不复ღ✿ღ◈★,永世不得翻身ღ✿ღ◈★。 因此美光极有可能在长鑫的DDR4大批量出货ღ✿ღ◈★,并发布DDR5产品时对长鑫提起专利诉讼ღ✿ღ◈★,提出天量索赔的同时ღ✿ღ◈★,进一步阻止长鑫DDR5 产品的上市ღ✿ღ◈★。也有可能是因为美国已经通过对源于美国半导体技术出口限制进一步针对长鑫存储进行了制裁ღ✿ღ◈★,不但将长鑫和长存一起列入实体清单ღ✿ღ◈★,同时撤走了全部美国专家和美籍工作人员ღ✿ღ◈★,这直接使长鑫原本计划在今年启动的第二工厂扩建计划推迟到了2024到2025年ღ✿ღ◈★,并不得不进行裁员ღ✿ღ◈★,鉴于目前的国际形势和半导体市场现状ღ✿ღ◈★,明年能否顺利开工不容乐观ღ✿ღ◈★。因此美光并不急于对长鑫动手ღ✿ღ◈★。可见即使有了专利技术和海量资金ღ✿ღ◈★,长鑫存储的DRAm国产化之路依旧困难重重ღ✿ღ◈★。

  2022年底ღ✿ღ◈★,长江存储宣布推出232层3D NAND Flash产品ღ✿ღ◈★,同时也宣告经过近八年的不断追赶ღ✿ღ◈★,排除外界阻碍和干扰ღ✿ღ◈★,长江存储终于挤入NAND Flash世界第一技术阵营ღ✿ღ◈★。

  谁又能想到海棠书屋里ღ✿ღ◈★,今天的存储芯片龙头企业ღ✿ღ◈★,当年差点被外资收购ღ✿ღ◈★,如果不是一根筋的湖北省政府ღ✿ღ◈★,换了其他地方政府ღ✿ღ◈★,也许就是不一样的结果ღ✿ღ◈★。 长江存储的历史可以追溯到十几年前的武汉新芯ღ✿ღ◈★。也就是长江存储的前身ღ✿ღ◈★,成立于2006年ღ✿ღ◈★。不得不说现在看来2006年绝对是中国半导体的耻辱之年ღ✿ღ◈★,当年爆出了震惊世界的交大汉芯造假事件ღ✿ღ◈★,2006年农历新年到来之际ღ✿ღ◈★,清华大学水木清华BBS上ღ✿ღ◈★,爆出猛料ღ✿ღ◈★,公开指责上海交大微电子学院院长陈进教授通过汉芯造假ღ✿ღ◈★,申报数十个科研项目ღ✿ღ◈★,骗取国家数亿元的科研经费ღ✿ღ◈★。 这成为戳破皇帝的新装的有力一击ღ✿ღ◈★,不到一个月事件调查组就得出结论ღ✿ღ◈★,汉芯一号造假基本属实ღ✿ღ◈★,现在我们都知道了ღ✿ღ◈★,当年陈教授所谓的国产突破的汉芯一号ღ✿ღ◈★,就是请农民工打磨掉了摩托罗拉的芯片logo后ღ✿ღ◈★,再印上了汉芯一号ღ✿ღ◈★,科技含量不高于农民工半天工时ღ✿ღ◈★。一个给国人带来无比自豪的科技突破ღ✿ღ◈★,变成了一起让人瞠目结舌的重大科研造假事件ღ✿ღ◈★,时至今日相关方面都没有公布相关责任人员的处理结果ღ✿ღ◈★,这在当年成了中国半导体人的奇耻大辱ღ✿ღ◈★,因为这起事件ღ✿ღ◈★,让本就不受待见的半导体产业处境更是艰难ღ✿ღ◈★,在当年地方政府本来就对投资吞金兽ღ✿ღ◈★,回报周期长ღ✿ღ◈★,风险高的半导体产业避之不及ღ✿ღ◈★。除了这个科技丑闻后ღ✿ღ◈★,更是不愿意谈这个浑水ღ✿ღ◈★,可以说交大汉芯事件给了中国半导体国产化沉重一击ღ✿ღ◈★,其负面影响一直到现在都没有完全消除ღ✿ღ◈★。

  而长江存储的前身武汉新芯就成立在这个半导体产业的多事之秋ღ✿ღ◈★,就注定了武汉新芯的命运多舛ღ✿ღ◈★。可以说当年湖北省政府上马这个投资规模百亿的项目的时候ღ✿ღ◈★,既无人才又无技术ღ✿ღ◈★,有的只有湖北佬的一股狠劲ღ✿ღ◈★。新芯的运气也差点ღ✿ღ◈★,最初瞄准的是DRAm市场ღ✿ღ◈★,之后又决定转身去做NANDFlash闪存ღ✿ღ◈★,但2006年开始建厂ღ✿ღ◈★,到2008年正式量产65纳米闪存ღ✿ღ◈★,正好碰上金融危机和半导体下行周期ღ✿ღ◈★,这是奇梦达都爬不出来的大坑ღ✿ღ◈★。 随着最后的大客户飞索半导体濒临破产ღ✿ღ◈★,武汉新芯的最后一根救命稻草也没了ღ✿ღ◈★。有着12寸现成晶圆线的武汉新芯很快成为国际大厂的收购目标ღ✿ღ◈★。关键时期ღ✿ღ◈★,又是中芯国际出手ღ✿ღ◈★,与新芯成立合资公司ღ✿ღ◈★。虽然ღ✿ღ◈★,合资后的日子大家都不好过ღ✿ღ◈★,武汉新芯又在2013年从中芯国际独立ღ✿ღ◈★,也曾经一度依靠给飞索和豪威做代工维持工厂运转ღ✿ღ◈★,但至少保住了国产存储的血脉ღ✿ღ◈★。在艰难挣扎前行了近十年后ღ✿ღ◈★,终于等到了中国半导体产业国家层面战略支持的到来ღ✿ღ◈★。

  2015年ღ✿ღ◈★,中国发布中国制造2025白皮书ღ✿ღ◈★,宣布力争到2025年ღ✿ღ◈★,国家半导体产品自给率从不到30%提高到70%ღ✿ღ◈★。同时国家宣布成立芯片大基金ღ✿ღ◈★,开启了万亿级别的烧钱竞争ღ✿ღ◈★,武汉新芯依靠多年来在代工时期积累的经验和技术ღ✿ღ◈★,在国家级存储基地的竞争中脱颖而出ღ✿ღ◈★,2016年随着大基金的注入和紫光集团入主ღ✿ღ◈★,武汉新芯一夜逆袭ღ✿ღ◈★,重组后成了注册资金数百亿ღ✿ღ◈★,背靠国家级大基金的存储一哥长江存储ღ✿ღ◈★。

  此时手里的NANDFlash的制程技术已经推进到了32纳米ღ✿ღ◈★,但和国际一流玩家的差距巨大ღ✿ღ◈★。 在以前的文章中我们就提到过ღ✿ღ◈★,半导体技术代差对于企业来说是难于逾越的鸿沟ღ✿ღ◈★,一旦落后ღ✿ღ◈★,追赶者与领先者的差距只会越拉越大ღ✿ღ◈★,因为技术的追赶需要海量的资金ღ✿ღ◈★,这些资金一般是通过产品在市场上的高额毛利来回血ღ✿ღ◈★,但市场只会追逐最先进的制程和技术产品ღ✿ღ◈★,领先者依靠技术优势和成本优势不但在先进产品市场赚钱ღ✿ღ◈★,更可以在成熟技术产品市场上进行低价倾销ღ✿ღ◈★,让追赶者即使研发出产品也无利润可图ღ✿ღ◈★,追赶者往往连研发成本都收不回来ღ✿ღ◈★。这也是为什么最后只有两三家头部企业可以有资本和动力继续研发先进技术ღ✿ღ◈★,因为追赶者无力承担巨额的研发费用ღ✿ღ◈★,而头部玩家谁也不敢在先进技术的竞赛中落后ღ✿ღ◈★。

  这个时候ღ✿ღ◈★,单单依靠市场经济和企业行为是永远赶不上国际领先水平的ღ✿ღ◈★,更不用说超越了ღ✿ღ◈★。经过曲折漫长的发展ღ✿ღ◈★,有了国家大基金支持的长江存储开启了其逆袭之路ღ✿ღ◈★。长江存储成立后的第二年ღ✿ღ◈★,2017年长江存储推出32层闪存ღ✿ღ◈★,当时市场主流产品是64层闪存ღ✿ღ◈★。两年后的2019年ღ✿ღ◈★,长江存储推出64层闪存并量产ღ✿ღ◈★,当年主流产品达到了128层ღ✿ღ◈★,三星继续领先并主导国际闪存市场ღ✿ღ◈★。

  如果一直这样按部就班的追赶ღ✿ღ◈★,将长时间慢人一步ღ✿ღ◈★,虽然现在钱不是问题ღ✿ღ◈★,但数年来的卧薪尝胆ღ✿ღ◈★,等待是能扬眉吐气的一天ღ✿ღ◈★。 长江存储继续努力研发自产自研的晶栈Xtacking架构ღ✿ღ◈★,终于在2020年直接跳过96层ღ✿ღ◈★,实现128层的技术突破ღ✿ღ◈★。同年三星ღ✿ღ◈★,海力士和美光的技术水平一样是128层ღ✿ღ◈★,另一家国际大厂铠侠也只有112层的闪存产品ღ✿ღ◈★。历经五年ღ✿ღ◈★,终于赶上了世界第一梯队的技术水平ღ✿ღ◈★。在2021年实现128层闪存产品量产的同时ღ✿ღ◈★,232层闪存的研发也在紧张的推进中ღ✿ღ◈★,终于在2022年几乎与美光同时宣布实现232层闪存产品的量产ღ✿ღ◈★,处于行业领先地位ღ✿ღ◈★。公平竞争ღ✿ღ◈★,中国半导体人没有怕过谁ღ✿ღ◈★。

  长江存储的光速进步很难低调ღ✿ღ◈★,自然吸引了美国商务部的阴冷的目光ღ✿ღ◈★。没有意外ღ✿ღ◈★,2022年长江存储被列入美国贸易黑名单ღ✿ღ◈★,同时美国对中国实施设备和技术出口管制ღ✿ღ◈★,美国设备商科磊ღ✿ღ◈★,泛林集团和应用材料公司相继撤走了设备调试和维护工程师ღ✿ღ◈★,也停止对长江存储提供生产设备ღ✿ღ◈★。荷兰ASML公司也拒绝提供EUV***ღ✿ღ◈★,而EUV***是将闪存技术推向300层以上的必须设备ღ✿ღ◈★。考虑到近期德国和日本对中国企业半导体原材料管制的跟进ღ✿ღ◈★,在长江存储面前的是一条更为艰难的国产存储芯片突围之路ღ✿ღ◈★。

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