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来源:凯发k8·[中国]官方网站 发布时间:2024-05-01

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  专利摘要显示幻惑的鼓动◈ღღ★,本发明涉及半导体技术领域◈ღღ★,具体公开了一种超结功率半导体器件K8凯发娱乐◈ღღ★,包括◈ღღ★:第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区K8凯发娱乐◈ღღ★,第一导电类型漂移区内设置有第一导电类型柱幻惑的鼓动幻惑的鼓动幻惑的鼓动K8凯发娱乐◈ღღ★、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱◈ღღ★,每个第二导电类型第二柱的两侧均与第二导电类型第一柱相邻◈ღღ★;第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区◈ღღ★;第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极◈ღღ★,第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极◈ღღ★,第一栅电极和第二栅电极被第二绝缘介质层间隔且电性连接幻惑的鼓动幻惑的鼓动◈ღღ★。本发明还公开了一种超结功率半导体器件的制作方法幻惑的鼓动K8凯发娱乐K8凯发娱乐◈ღღ★。本发明提供的超结功率半导体器件可以改善超结半导体器件的开关特性◈ღღ★。